Hybrid Memory Cube: новый виток эволюции памяти

На Конференции Intel для разработчиков в Сан-франциско генеральный директор Intel по технологиям Джастин Раттнер (Justin Rattner) представил разработку под названием Hybrid Memory Cube (HMC) — новое слово в сегменте DRAM-памяти. Над ее созданием Intel трудилась совместно с Micron.

Джастин Раттнер мотивировал создание HMC следующим образом. В условиях, когда нагрузка на серверы растет, повышается частота и количество вычислительных ядер центральных процессоров, оперативная память становится узким местом, снижающим общую производительность системы. Память DRAM в нынешнем состоянии пока удовлетворяет запросам потребителей, но ее возможности скоро будут исчерпаны, и, значит, пора думать о чем-то более прогрессивном. Решением проблемы в данном случае, по мнению Intel и Micron, как раз и является память Hybrid Memory Cube.



В основе Hybrid Memory Cube лежит технология трехмерной компоновки интегральных микросхем (3D stacking), дополненная высокоскоростным интерфейсом ввода-вывода. За счет этого достигается высокая энергетическая эффективность памяти (8 пДж/бит), и значительно, в разы возрастает скорость обмена данными — до 128 ГБ/с! Показанный Intel на мероприятии образец HMC смог продемонстрировать скорость обмена данными на уровне 1 Тбит/с, потребляя при этом на 70% меньше энергии, чем память DDR3. В целом же Micron отмечает, что Hybrid Memory Cube в сравнении с DDR3 в 15 раз производительнее и в 7 раз энергоэффективнее. При этом многослойная архитектура HMC позволяет экономить до 90% площади, занимаемой нынешними модулями оперативной памяти.



Понятно, что HMC — это удел пока еще далекого будущего, однако Intel отмечает, что все разработки в данном направлении будут вестись с акцентом на двух важных составляющих: энергоэффективности и производительности.