Elpida Memory выпустила альтернативу флеш-памяти

О разработке первого прототипа высокоскоростной энергонезависимой резистивной памяти с произвольным доступом (ReRAM) сообщила компания Elpida Memory.

Прототип изготовлен по 50-нанометровой технологии. Он состоит из массива ячеек памяти объемом 64 Мбит. Это значение находится на уровне лучших достижений в области ReRAM.

В создании прототипа партнером Elpida Memory выступила организация New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO). К работе уже присоединились компания Sharp, институт National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) и университет Токио.

Память типа ReRAM считается одним из наиболее вероятных кандидатов на роль энергонезависимой памяти будущего, которая придет на смену флэш-памяти. Принцип ее работы основан на использовании материала, изменяющего сопротивление под действием напряжения. К достоинствам памяти ReRAM относятся высокое быстродействие и долговечность. Время записи составляет 10 нc, а количество циклов перезаписи превышает 1 млн.

Elpida планирует продолжить разработку и в 2013 году начать серийный выпуск чипов ReRAM плотностью 1 Гбит по 30-нанометровой технологии.