Оперативная память является одним из основных компонентов современного персонального компьютера, и от производительности DRAM-устройств напрямую зависит и производительность всей системы.
Компания Hynix на проходящем форуме IDF 2008 официально представила свою новую разработку – модули оперативной памяти DDR3 R-DIMM, изготовленные с применением технологии, разработанной компанией-стартапом MetaRAM.
В последнее время в новостях об оперативной памяти доминирует тема перспективного стандарта DDR3. Тем не менее, самая
распространённая на данный момент память DDR2 пока не собирается сдавать позиций.
Японская компания Elpida
Memory, известный поставщик DRAM-чипов, внесла свою лепту в развитие DDR2-продуктов, объявив о выпуске новых микросхем ёмкостью 2
Гбит и скоростью обмена данными 1066 Мбит/с.
Южнокорейская компания Samsung Electroniсs объявила о начале массового производства модулей памяти DDR2 по нормам 80-нанометрового технологического процесса.
Пока по новой технологии будут выпускаться только чипы памяти объёмом 512 Мбайт, однако в самое ближайшее время компания намерена перевести на новую норму изготовления и другие типы памяти семейства DRAM.
По словам представителей компании, переход к новой технологической норме поможет на 50 процентов увеличить эффективность производства. Новый техпроцесс позволит уменьшить размер чипа, увеличить количество чипов на одной кремниевой пластине и снизить итоговую стоимость модулей памяти.
За последнее время стоимость оперативной памяти типа DDR2 существенно ниже чем обычной DDR. Это случилось по причине перенасыщения рынка: спрос на DDR2 растет очень медленно, ситуация возможно переменится лишь к середине будущего года, когда появятся чипсеты с поддержкой данного типа памяти для платформы на базе процессоров AMD.
Однако, скорее всего, цены на DDR2 вырастут чуть ранее - Samsung Electronics недавно разослала своим партнерам письмо, в котором говорится, что дефицит на DDR2 будет наблюдаться в течение всего первого квартала будущего года. Все это может привести к тому, что цена на DDR2 увеличится и сравняется с DDR.
Gigabyte представила в Японии новое решения для любителей скоростей - i-RAM Rev 1.2. Благодаря изобретению инженеров компании, у пользователей появилась возможность работать с данными, обычно хранящимися на HDD, в 60 раз быстрее.
Устройство i-RAM является PCI-картой с четырьмя разъёмами под самые обычные DIMM модули оперативной памяти DDR. Всего можно установить до 8 Гб; передача данных осуществляется по интерфейсу SATA на скорости 150 Мб/с. Для сохранения информации во время выключения специалисты Gigabyte оснастили устройство аккумулятором, благодаря чему данные могут храниться до 12 часов.
Samsung, анонсировал 8 Гб модуль R-DIMM в октябре, а на днях компания представила 8 Гб полностью буферизованной памяти FB-DIMM, предназначенной для использования в blade-серверах и системах форм-фактора 1U.
Новый модуль состоит из четырёх 2 Гб 80-нм чипов DDR, причём, в будущем возможно создание 16 Гб FB-DIMM. Для быстродействия FB-DIMM применена связь микросхем по типу точка-точка с помощью буферного чипа AMB (Advanced Memory Buffer). Стоимость рекордно ёмкого модуля памяти компания не сообщила.
С появлением новых чипсетов от Intel и AMD, с поддержкой DDR 2, Kingmax анонсировала модули памяти DDR2 800МГц. Недавно выпущенные в продажу наборы логики 955X/945 от Intel имеют 1066 МГц системную шину и поддерживают DDR2, а помещённый в роадмап чипсет с кодовым именем Broadwater будет поддерживать двухканальную DDR2 800 и появится во втором квартале 2006. AMD же представит улучшенную версию контроллера памяти, поддерживающего DDR2, под свои Athlon 64 и Opteron.
Во втором квартале текущего года, Kingmax начала использовать новый аппаратный тест-комплекс T5593, вложив в это дело около 10 миллионов долларов. Разумеется, объявленные модули памяти будут проходить проверку на T5593. Характеристики Mars DDRII-800 Long-DIMM следующие: 240 контактов, время задержки: 5-5-5-15, ширина пропускного канала – 6,4 ГБ/с, потребляемое напряжение удалось снизить на 50 % – до 1,8 В. Объём будущих модулей – от 512 МБ до 1 ГБ.
Сегодня уже можно сказать, что компьютерная индустрия наконец-то вступила в эру DDR 2. Появления анонсированных чипов от Kingmax на прилавках можно ожидать в конце 2005 – начале 2006.
GIGABYTE анонсировала обновленное решение для хранения данных, называемое i-RAM или GC-RAMDISK и позволяющее полностью заменить жесткие диски оперативной памятью, через интерфейс SATA. Представленный адаптер имеет четыре разъема под модули памяти DDR и отдельный источник питания, обеспечивающий питание ОЗУ, во время, когда система выключена.
Один контроллер GC-RAMDISK поддерживает до 8Гб памяти (4 x 2Гб). Четыре i-RAM обеспечат системе целых 16Гб (!) сверхскоростной памяти, что гарантирует ультрабыструю загрузку ОС. Информация может хранится на ОЗУ до 16 часов без подзарядки аккумулятора. Стоимость, не уточняется.
26 мая 2012 09:08